この製品には,テルレンの一層,少数層,およびより厚いフレークが含まれています.合成テルーレン結晶は最初に99.9995％の純度で育てられ、次に超音波処理によってイソプロパノール（99.9999％の純度で電子等級化学品）に分散されました。出発材料（合成テルーレン結晶）が高結晶性であるため、テルーレン層を脱層する超音波処理により、イソプロパノール溶液に悬浮した高結晶性テルーレンモノおよび少数層が生まれます。テルーレンナノ材料の結晶性は、電子エネルギー分散分光鏡（EDAX）、ラマン分光鏡（FWHM-1）、およびスキャン電子显微鏡（SEM）の測定によって確認されています。異なる基板に沉積されたテルーレンフレークの側面サイズは〜10nm〜数十ミクロンの範囲です。

ソリューションのタイプ:デフォルトでは,2Dsemiconductors USAは良い分散性,安定性,高性能のためにイソプロパノールに悬浮されたテルーレンシートを提供します.ただし,調査に他の溶媒が必要な場合は,詳細と製品配達のスケジュールについてお問い合わせください.

ソリューション集中：運送コストを減らすために、簡単な関税契約/国境チェックインプロセスを行うために、私たちは超超超超ソソリソリューション2Dソリューション（〜80〜120 mg/Lを2D層のタイプに応じて）を出荷します。しかし,超超超しかししかし,超しかししかし,超しかししかししかし,超しかししかししかし,シンプルでシンプルでコスト効率の高いスピンしかししかししかし シンプルでコスト効率的なスピンたしかししかししかししかし シンプルかつコスト効率の高いスピンしかし

テルレンの一般的特徴: 層テルリウム（Te）は、三角形結晶格子（製品画像を参照）を持ち、その中で、Te 原子の個々のヘリック連鎖は、van der Waals型の結合によって一緒に堆積され、六角形基本細胞[1-2]の中心と角にある[0001]方向に平行する軸の周りにスパイラル形状を持っています。テルレンは、ほぼ直接0.31 eV（バルク）から間接1.17 eV（2L）および直接1.3 eV（1L）まで変化する調整可能なバンドギャップを示しています[3]。特定の条件下で金属的行動を示し、DCWをホストすることさえ示されています。最初のブリロウインゾーンに4つの複雑な（2つの）高度な異異異性および層依存の穴（電子）ポケットがあり、非常に高い穴の移動性が理論的な〜1E5 cm2/Vs値[1-3]に達します。

高キャリアモビリティ半導体
調整可能なIR半導体（例えばバルクからモノレイヤーまで0.3〜1.3 eVの範囲）
2Dアニソトロピック半導体
注：この製品はテルーレン材料と同じです。材料自体は三角形の形で完全に結晶化しているが（弱く結合されたTe鎖が存在している）グラフェンやMoS2に比べて本質的に剥離することが難しい。最良の結果を得るために,強い接着テープまたは液体剥離技術を使用することをお勧めします.

よくある質問

Q1: これらのソリューションは触媒測定に良いですか？

A:はい、私達の2D解決は一般的に触媒コミュニティによって使用されます

Q2:溶液の容積は何ですか。

A:各順序は、超超超超A A 超A A 超A A A: 超A A A A:各順序は超A A A A: 超A A A A A: 超A A A A A:各順序は超A A A A A A: 超A A A A A:各順序は超A A 12mLのソリューションを使用することをお勧めします。運送料と運送時間を削減します。

Q3:これらの2Dソリューションは100%のモノレイヤーで構成されていますか。

A：これはあなたの要求によって異なります。私達は単層、少数層、多層、そしてさらに大規模な層付きソリューションを設計することができます。チェックアウト時にどのようなソリューション（材料タイプ）を使用したいかを明らかにしてください。

Q4:解決のタイプについてはどうですか。

A：これはあなたのアプリケーションによっても異なります。IPA、H2O、DMF、NMP、その他の多くを収容する能力があります。あなたが考えていることを教えてください。

関連参照

[1] "二次元テルリウム" Nature 552, 40-41 (2017) [ページリンク]

[2] "空気安定性の高性能フィールド効果トランジスタのための大面積溶液で育てられた2Dテルーレン";arXiv:1704.06202 [ページリンク]

「Few-layer Tellurium: one-dimensional-like layered elementary semiconductor with striking physical properties」 https://doi.org/10.1016/j.scib.2018.01.010