EOT光検出器,帯域幅<10GHz、体積が小さく、内部電圧がバイアスされ、直流が2GHz
EOTシリコンフォトダイオード検出器は、PINフォトダイオード、光起電力効果を利用して光電力を電流に変換し、帯域幅<10GHz。EOT光検出器別名EOTシリコン光検出器、EOTフォトダイオード検出器、近赤外シリコンベースダイオード光検出器、シリコン光検出器、近赤外シリコン光検出器、シリコンベース光検出器、シリコンベースダイオード光検出器など。
当EOTシリコンフォトダイオード検出器の端はオシロスコープの50Ω抵抗の場合、レーザ光のパルス幅を測定することができる。EOTシリコンフォトダイオード検出器がスペクトル分析器の50Ω抵抗の場合、レーザ光の周波数応答を測定することができる。
EOTフォトダイオード検出器では、<10GHz光検出器は、長寿命リチウム電池からなる内部バイアス電源を持参している。同軸ケーブルを光電検出器のBNC出力コネクタ、オシロスコープまたはスペクトルアナライザで接続可能50Ωでいいです。
帯域幅という物理量は非常に重要であり、具体的に説明しなければ、一般的に2つを指す。1つは光検出器の動作波長であり、通称動作帯域幅、例えば動作帯域幅600-1700nm;もう1つは、パルス光信号をテストする際のパルス信号の繰り返し周波数、例えば10G光検出器、20G光検出器、1G光検出器など。
近赤外シリコンベースダイオード光検出器の上昇/こうかじかん300ps(典型)、影響度0.47A/W@830nm、電源要件DC、帯域幅>2GHz、暗電流<0.1nA、ノイズ<0.01pW/√Hz、出力コネクタBNC。
典型的な可視光、近赤外シリコン光検出器を含む応答度は以下の通りである:

EOT光検出器仕様:
製品ファミリ |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2070 |
ET-3000- |
ET-3010 |
光検出器モデル |
120-10011-0001 (ET-2030) |
120-10028-0001 (ET-2040) |
120-10133-0001 (ET-2060) |
120-10134-0001 (ET-2070) |
120-10034-0001 (ET-3000) |
120-10050-0001 (ET-3010)a |
プローブ材料 |
Silicon |
InGaAs |
||||
上昇・下降時間 |
<300ps/<300ps |
<30ns/<30ns |
<320ps/<320ps |
3ns/3ns |
<175ps/<175ps |
<175ps/<175ps |
レスポンス度 |
0.47A/W @830nm |
0.6A/W @830nm |
0.47A/ W@830nm |
0.56A/W @830nm |
0.9A/W @1300nm |
0.9A/W @1300nm |
電源要件 |
9VDC |
24VDC |
9VDC |
24VDC |
6VDC |
6VDC |
帯域幅 |
>1.2GHz |
>25MHz |
>1.1GHz |
>118MHz |
>2GHz |
>2GHz |
有効面積直径 |
0.4mm |
4.57mm |
0.4mm |
2.55mm |
100μm |
100μm |
あんでんりゅう |
<0.1nA |
<10nA |
<0.1nA |
<10nA |
<2.0nA |
<3.0nA |
受け入れ角(1/2角) |
10° |
60° |
--- |
50° |
20⁰ |
--- |
ざつおんとうかでんりょく |
<0.01pW/√Hz |
0.09pW/√Hz |
<0.01pW/√Hz |
<0.10pW/√Hz |
<0.03pW/√Hz |
0.03pW/√Hz |
最大線形定格 |
連続電流3 mA パルス電流:3 mA |
連続電流:2 mA オプション入力:3 mW |
連続電流:3 mA オプション入力:3 mA |
連続電流:2.5 mA パルス電流:15 mA |
連続電流5 mA |
連続電流:5 mA |
取り付け(ねじ穴) |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
出力コネクタ |
BNC |
EOTシリコン光検出器の特徴:
-敷地面積が小さい
-内部電圧バイアス
-帯域幅<10GHz
-直流先2 GHz
-オプションの外壁挿入電源装置、光ファイバ結合、または自由空間オプション
EOTフォトダイオード検出器の応用:
-モニタトーンQレーザの出力
−モード同期レーザの出力をモニタする